PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 250 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 280 |
最大漏极电流（liú）Id(on)(A)： | 15 |
驱动（dòng）电压（yā）(V)： | 10 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220-3L/-55~125 |
描（miáo）述： | 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET |
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