PRODUCT CENTER
产（chǎn）品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 100 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 125 |
最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)： | 30 |
通道极性： | N沟道 |
封装（zhuāng）/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述（shù）： | 600V,125mΩ,30A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率MOSFET |
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