PRODUCT CENTER
产品中心
漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 83 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 99 |
最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)： | 40 |
通道极性（xìng）： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 600V,99mΩ,40A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技（jì）术的功率MOSFET |
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