PRODUCT CENTER
产（chǎn）品（pǐn）中心
漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 480 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 600 |
最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 7 |
通（tōng）道极（jí）性： | N沟道 |
封装（zhuāng）/温度(℃)： | SOT-223-2L/-55~125 |
描述： | 650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET |
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