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漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 300 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 360 |
最大漏极（jí）电（diàn）流（liú）Id(on)(A)： | 11 |
通道极（jí）性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描述： | 650V,360mΩ,5A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET |
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