PRODUCT CENTER
产品中心
漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 150 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 180 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
通道极性（xìng）： | N沟（gōu）道 |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述： | 600V,180mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET |
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