PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 700 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 850 |
最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 5 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-251-3L(IPAK)/-55~125 |
描述： | 650V,850mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级（jí）结技术的功率MOSFET |
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